说起PCIe5.0固态硬盘，相信大家都会想到那些读写破万兆、佩戴夸张散热片的高性能产品。但实际上，这些产品仅仅是厂家在“秀肌肉”而已，而且消费群体也不是普通用户，因此PCIe4.0仍是市场的绝对主力。今年1月三星推出“双模”产品990 EVO，为PCIe5.0应用提供了全新的思路，而9月份推出焕新升级版990 EVO Plus，性能得到大幅提升，为提升生产力的带来全新选择。
熟悉三星存储产品的同学都知道，Plus的定位是升级款产品，并没有超越系列的范畴。但这次的升级间隔仅有8个月，可见三星显然已经不满足小幅度的性能提升，而是通过半导体技术的革新，来寻求同系列的突破。实际上这次的“Plus”带来的惊喜也确实有点猛，当然PCIe5.0和PCIe4.0双平台兼容也被继承了下来。
我们先看一下这款产品的亮点（以2TB为例）
1、支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2双模式；
2、配备三星第八代V-NAND TLC原厂闪存颗粒；
3、配备三星5nm工艺制程自研主控芯片，采用镀镍涂层；
4、最高顺序读写速度高达7250MB/s和6300MB/s；
5、最高随机读写性能达到1050K IOPS和1400K IOPS；
6、Intelligent TurboWrite2.0技术，大幅提升了SLC缓存空间，2TB最高可达226GB；
7、电源效率比三星990 EVO固态硬盘提升73%。
1 外观一览
三星990 EVO Plus采用和990 EVO完全相同的外包装设计，依然是清爽的蓝色主视觉，搭配产品图片和大字体的型号标识，只是产品型号从EVO变成了EVO Plus，可见本次升级还是比较低调的。右下方的标签标识了产品的读取速度和容量。
三星990 EVO Plus采用黑色的PCB，但正面的散热标签比990 EVO稍小一些，这是为了照顾到单颗NAND芯片版本的美观，设计风格也稍有变化，最左侧是产品的型号，中间部分是S/N编码等信息，最右侧是产品的容量和三个二维码。标签还注明了工作的电压电流，最高理论功耗仅为6.27W，对于笔记本的电池续航非常友好。
三星990 EVO Plus采用单面元器件方案，降低发热的同时也提升了对于笔记本等紧凑型产品的兼容性，背面大面积的敷铜线路不仅有效提升了抗干扰性能，而且提升了传热效果，NAND FLASH芯片的位置同样贴有铜箔散热片，进一步提升散热效率。
揭开正面的标签，可见元器件布局也与990 EVO基本相同，依然是DRAMLess无外置缓存设计，主要部件为主控芯片和一颗NAND FLASH存储芯片，主控旁边的黑色小芯片是电源管理芯片，旁边围绕着大量的贴片电容电阻元器件。